Радиопромышленность. 2016; 26: 54-58
НИТРИД-ГАЛЛИЕВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ДЛЯ КОСМИЧЕСКИХ СИСТЕМ
https://doi.org/10.21778/2413-9599-2016-3-54-58Аннотация
В статье рассмотрены результаты разработки СВЧ-транзисторов, которые будут использоваться в электронных блоках для спутниковых систем. Рассмотрены преимущества использования нитрид-галлиевых технологий в приемо-передающих модулях РЛС с АФАР космического назначения.
Список литературы
1. Г руздов В. В., Колковский Ю. В. Новые нитрид-галлиевые технологии для РЛС с АФАР // Интеграл. 2015. № 1–2. С. 4–6.
2. Г руздов В. В., Колковский Ю. В., Миннебаев В. М. СВЧ-электроника на основе нитрида галлия – основное направление создания радиоэлектронных систем // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2013. Вып. 2 (231). С. 88–101.
3. Г руздов В. В., Колковский Ю. В. Критические технологии – основное направление создания СВЧ радиоэлектронных систем // Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА: материалы XIII научно-технической конференции, г. Дубна, 8–10 октября 2014 г., с. 7–9.
4. R udiger Quay, Gallium Nitride Electronics. Berlin-Heidelberg: Springer-Verlag. 2008, 469 p.
5. Qureshi J., Pelk M., Marchetti M. et al. A 90-W Peak Power GaN Outphasing Amplifier With Optimum Input Signal Conditioning // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 57, no. 8, August 2009, p. 1925.
6. К ищинский А. А. Широкополосные транзисторные усилители мощности свч-диапазона – смена поколений // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2010. № 2.
7. Б орисов О. В., Иванов К. А., Колковский Ю. В. и др. Фазостабильный 200-ваттный GaN-усилитель мощности Х-диапазона // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2013. Вып. 1 (230). С. 31–36.
8. Г руздов В. В., Колковский Ю. В., Концевой Ю. А. Контроль новых технологий в твердотельной СВЧ-электронике. М.: Техносфера, 2016. 328 с.
9. К олковский Ю. В., Миннебаев В. М. Применение GaN-устройств в условиях космического пространства // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2014. Вып. 2 (233). С. 20–25.
10. Перевезенцев А. В. Четырехканальный приемник Х-диапазона на GaN- и SiGe-микросхемах // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 2011. Вып. 2 (227). С. 114–119.
11. Герасимов А. О., Колковский Ю. В., Миннебаев В. М. и др. Шестиканальный ППМ для АФАР Х-диапазона: приемный тракт // Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА: материалы научно-технической конференции. М.: АО «НПП “Пульсар”». 2015. С. 163–164.
Radio industry (Russia). 2016; 26: 54-58
NITRIDE AND GALLIUM ELECTRONICS FOR SPACE SYSTEMS
https://doi.org/10.21778/2413-9599-2016-3-54-58Abstract
The article describes the results related to development of microwave transistors, which are to be used in electronic components for satellite systems. The advantages of facilitation of nitride and gallium technologies in receiving and transmitting modules of the radar with space purposes AFAR have been investigated
References
1. G ruzdov V. V., Kolkovskii Yu. V. Novye nitrid-gallievye tekhnologii dlya RLS s AFAR // Integral. 2015. № 1–2. S. 4–6.
2. G ruzdov V. V., Kolkovskii Yu. V., Minnebaev V. M. SVCh-elektronika na osnove nitrida galliya – osnovnoe napravlenie sozdaniya radioelektronnykh sistem // Elektronnaya tekhnika. Ser. 2. Poluprovodnikovye pribory. 2013. Vyp. 2 (231). S. 88–101.
3. G ruzdov V. V., Kolkovskii Yu. V. Kriticheskie tekhnologii – osnovnoe napravlenie sozdaniya SVCh radioelektronnykh sistem // Tverdotel'naya elektronika. Slozhnye funktsional'nye bloki REA: materialy XIII nauchno-tekhnicheskoi konferentsii, g. Dubna, 8–10 oktyabrya 2014 g., s. 7–9.
4. R udiger Quay, Gallium Nitride Electronics. Berlin-Heidelberg: Springer-Verlag. 2008, 469 p.
5. Qureshi J., Pelk M., Marchetti M. et al. A 90-W Peak Power GaN Outphasing Amplifier With Optimum Input Signal Conditioning // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 57, no. 8, August 2009, p. 1925.
6. K ishchinskii A. A. Shirokopolosnye tranzistornye usiliteli moshchnosti svch-diapazona – smena pokolenii // Elektronika: Nauka, Tekhnologiya, Biznes. 2010. № 2.
7. B orisov O. V., Ivanov K. A., Kolkovskii Yu. V. i dr. Fazostabil'nyi 200-vattnyi GaN-usilitel' moshchnosti Kh-diapazona // Elektronnaya tekhnika. Ser. 2. Poluprovodnikovye pribory. 2013. Vyp. 1 (230). S. 31–36.
8. G ruzdov V. V., Kolkovskii Yu. V., Kontsevoi Yu. A. Kontrol' novykh tekhnologii v tverdotel'noi SVCh-elektronike. M.: Tekhnosfera, 2016. 328 s.
9. K olkovskii Yu. V., Minnebaev V. M. Primenenie GaN-ustroistv v usloviyakh kosmicheskogo prostranstva // Elektronnaya tekhnika. Ser. 2. Poluprovodnikovye pribory. 2014. Vyp. 2 (233). S. 20–25.
10. Perevezentsev A. V. Chetyrekhkanal'nyi priemnik Kh-diapazona na GaN- i SiGe-mikroskhemakh // Elektronnaya tekhnika. Ser. 2. Poluprovodnikovye pribory. 2011. Vyp. 2 (227). S. 114–119.
11. Gerasimov A. O., Kolkovskii Yu. V., Minnebaev V. M. i dr. Shestikanal'nyi PPM dlya AFAR Kh-diapazona: priemnyi trakt // Tverdotel'naya elektronika. Slozhnye funktsional'nye bloki REA: materialy nauchno-tekhnicheskoi konferentsii. M.: AO «NPP “Pul'sar”». 2015. S. 163–164.
