Российские нанотехнологии. 2017; 12: 97-106
ИЗГОТОВЛЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ И СВОЙСТВ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МЕМБРАН ДЛЯ МЭМС-ПРИБОРОВ
Аннотация
Разработана технология формирования заготовок наноструктурированных мембран для МЭМС- приборов на основе чередующихся слоев Si3N4 /SiO2 с нанометровыми толщинами. Проведено комплексное исследование структуры и состава мембран с применением методов микроанализа на основе спектральной эллипсометрии, растровой электронной микроскопии (РЭМ), вторичной ионной масс-спектрометрии (ВИМС), электронной ожеспектроскопии (ЭОС), зондовой профилометрии и рентгеновской дифрактометрии. Экспериментально определены механические напряжения в кремниевых пластинах с заготовками наноструктурированных мембран.
Список литературы
1. Zorman C. Material Aspects of Micro- and Nanoelectromechanical Systems. Springer Handbook of Nanotechnology. Berlin: Springer-Verlag. 2007.
2. Урманов Д. Концепция развития производства МЭМС- изделий в России на период до 2017 года // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2013. С. 192–199.
3. Dyuzhev N., Novikov D., Ryabov V. Application of streamlined body for properties amplification of thermoresistive MEMS gas flow sensor. // Solid State Phenomena. 2016. V. 245. Р. 247–252.
4. Бернард Д. Критерии выбора рентгеновской трубки // Технологии в электронной промышленности. 2010. С. 48–53.
5. May G.S., Spanos C.J. Fundamentals of Semiconductor Manufacturing and Process Control. New Jersey: John Wiley & Sons, Inc. 2006.
6. Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology / Edited by Y. Nishi and R. Doering. Second Edition. N.Y.: Marcell Dekker Inc. 2008.
7. Handbook of Semiconductor Interconnection Technology / Edited by G.C. Schwartz and K.V. Srikrishnan. Second Edition. N.Y.: CRC Press, Taylor & Francis Group. 2006.
8. Киреев В.Ю. Введение в технологии микроэлектроники и нанотехнологии. М.: ФГУП «ЦНИИХМ». 2008.
9. TOF.SIMS 5 brochure. www.iontof.com
10. Плешивцев Н.В., Бажин А.И. Физика воздействия ионных пучков на материалы. М.: Вузовская книга. 1998.
11. Бриггс Д., Сих М.П. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. М.: Мир. 1987.
12. Дюжев Н.А., Дедкова A.A., Гусев E.Э., Новак А.В. Методика измерения механических напряжений в тонких пленках на пластине с помощью оптического профилометра // Известия Вузов. Электроника. 2016. C. 367–372.
13. Stoney G. G. The tension of metallic films deposited by electrolysis // Proc. Royal Soc. London. 1909. V. 82. P. 172–175
Title in english. 2017; 12: 97-106
ИЗГОТОВЛЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ И СВОЙСТВ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МЕМБРАН ДЛЯ МЭМС-ПРИБОРОВ
Abstract
Разработана технология формирования заготовок наноструктурированных мембран для МЭМС- приборов на основе чередующихся слоев Si3N4 /SiO2 с нанометровыми толщинами. Проведено комплексное исследование структуры и состава мембран с применением методов микроанализа на основе спектральной эллипсометрии, растровой электронной микроскопии (РЭМ), вторичной ионной масс-спектрометрии (ВИМС), электронной ожеспектроскопии (ЭОС), зондовой профилометрии и рентгеновской дифрактометрии. Экспериментально определены механические напряжения в кремниевых пластинах с заготовками наноструктурированных мембран.
References
1. Zorman C. Material Aspects of Micro- and Nanoelectromechanical Systems. Springer Handbook of Nanotechnology. Berlin: Springer-Verlag. 2007.
2. Urmanov D. Kontseptsiya razvitiya proizvodstva MEMS- izdelii v Rossii na period do 2017 goda // Elektronika: Nauka, Tekhnologiya, Biznes. 2013. S. 192–199.
3. Dyuzhev N., Novikov D., Ryabov V. Application of streamlined body for properties amplification of thermoresistive MEMS gas flow sensor. // Solid State Phenomena. 2016. V. 245. R. 247–252.
4. Bernard D. Kriterii vybora rentgenovskoi trubki // Tekhnologii v elektronnoi promyshlennosti. 2010. S. 48–53.
5. May G.S., Spanos C.J. Fundamentals of Semiconductor Manufacturing and Process Control. New Jersey: John Wiley & Sons, Inc. 2006.
6. Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology / Edited by Y. Nishi and R. Doering. Second Edition. N.Y.: Marcell Dekker Inc. 2008.
7. Handbook of Semiconductor Interconnection Technology / Edited by G.C. Schwartz and K.V. Srikrishnan. Second Edition. N.Y.: CRC Press, Taylor & Francis Group. 2006.
8. Kireev V.Yu. Vvedenie v tekhnologii mikroelektroniki i nanotekhnologii. M.: FGUP «TsNIIKhM». 2008.
9. TOF.SIMS 5 brochure. www.iontof.com
10. Pleshivtsev N.V., Bazhin A.I. Fizika vozdeistviya ionnykh puchkov na materialy. M.: Vuzovskaya kniga. 1998.
11. Briggs D., Sikh M.P. Analiz poverkhnosti metodami ozhe- i rentgenovskoi fotoelektronnoi spektroskopii. M.: Mir. 1987.
12. Dyuzhev N.A., Dedkova A.A., Gusev E.E., Novak A.V. Metodika izmereniya mekhanicheskikh napryazhenii v tonkikh plenkakh na plastine s pomoshch'yu opticheskogo profilometra // Izvestiya Vuzov. Elektronika. 2016. C. 367–372.
13. Stoney G. G. The tension of metallic films deposited by electrolysis // Proc. Royal Soc. London. 1909. V. 82. P. 172–175
